意法半导体与MACOM成功生产射频硅基氮化镓原型赤壁

意法半导体与MACOM成功生产射频硅基氮化镓原型

5月13日，意法半导体和MACOM宣布宣布成功生产射论文频硅基氮化镓（RF GaN-on-Si）原型。

本文引用地址：article/202206/435159.htm

RF GaN-on-Si为5G和6G基础设施提供了巨大潜力。长期存在的射频功率技术横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS)主导了早期射频功率放大器(PA)。对于这些射频功率放大器，GaN可以提供比LDMOS更高的射频特性和显着更高的输出功率。

此外，它可以在硅或碳化硅(SiC)芯片上制造。由于高功率应用对SiC晶圆的竞争以及其非主流半导体加工，RF GaN-on-SiC可能会更昂贵。

目前，意法半导体和MACOM已经开始进一步研究以加快向市场交付先进射频GaN-on-Si产品的速度。

意法半导体功率晶体管子集团总经理兼执行副总裁EdoardoMerli表示：“我们相信，该技术现在已经达到了性能水平和工艺成熟度，可以有效地挑战现有的LDMOS和GaN-on-SiC，我们可以为包括无线基础设施、商业化在内的大批量应用提供成本和供应链优势，将RF GaN-on-Si产品商业化是我们与MACOM合色差仪作的下一个重要里程碑。”

意法半导体和MACOM的合作早有渊源。

2018年2月，MACOM和意法半导体宣布一份硅上氮化镓GaN合作开发协议。意法半导体为MACOM制造硅上氮化镓射频芯片。

2019年3月，MACOM和意法高温蝶阀半导体(ST)宣布在2019年扩大ST工厂在150mm硅基氮化镓的产能，而200mm的硅基氮化镓依需求扩产。该扩产计划旨在支援全球5G电信网建设，其基于2018年初MACOM和ST所宣布达成的硅基氮化镓协议。

日前，意法半导体发布了2022年第一季度财报。报告期内，公司净营收为35.5亿美元（约固定电阻合人民币238.68亿元），年增17.6%，毛利率为46.7%，年增770个基点，净利润7.47亿美元（约合人民币50.22亿元），年增105.1%。

公司表示，Q2有望实现营收37.5亿美元，环比增长5.8%，毛利率约46%。全年营收有望达148亿-153亿美元。

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